宽禁带ZnO发光器件研究

发布日期:2017-11-08| 阅读次数:

题目:宽禁带ZnO发光器件研究

报告主要内容:介绍宽禁带ZnO半导体的MOCVD外延生长特性及其光辅助外延机理;研究了ZnO LED、ZnO激光器发光机理,实现了ZnO的室温紫外激射。

报告人:张宝林教授,博士生导师,吉林大学集成光电子学国家重点实验室副主任。

张宝林教授,1986年及1989年于吉林大学半导体物理与器件物理专业获理学学士学位和理学硕士学位;1999年于中科院长春物理所获凝聚态物理专业理学博士学位。1999年-2000年在英国牛津大学物理系做博士后,2001年-2003年在新加坡南洋理工大学做研究员,2004年起在吉林大学集成光电子学国家重点实验室负责MOCVD研究室的工作。先后承担了多项国家“863”项目、973子课题、国家自然科学基金重点项目和面上项目。中国电子学会半导体与集成技术分会和超导电子学分会委员。目前研究方向为宽带隙半导体(GaN,ZnO)和中红外锑化物材料制备及其器件研究。在国内外学术刊物上发表学术论文150余篇。

时间:2017年11月10日 上午9:00 

地点:东2教500